Potenziamento Bidirezionale! Micron Acquisisce la Fabbrica di Wafer di PSMC a Taiwan e Rimodella il Panorama della Memoria con Licenze di Processo Avanzato e Cooperazione nel Packaging

Secondo l'ultimo rapporto approfondito di TrendForce sul settore DRAM, il gigante globale della memoria Micron ha ufficialmente annunciato l'intenzione di acquisire per 1,8 miliardi di dollari in contanti lo stabilimento dedicato di PSMC a Tongluo, contea di Miaoli, Taiwan (l'acquisto non include macchinari e attrezzature di produzione). Le due parti hanno contemporaneamente siglato un accordo di cooperazione strategica a lungo termine incentrato sulla collaborazione per l'outsourcing del packaging avanzato di DRAM. Questa collaborazione intersettoriale non solo consentirà a Micron di integrare rapidamente la capacità produttiva di DRAM a processo avanzato, ma aiuterà anche PSMC a migliorare la scala di fornitura e il livello tecnologico dei DRAM a processo maturo. TrendForce prevede che le aspettative di offerta globale del settore DRAM nel 2027 subiranno una revisione sostanziale al rialzo.

Nel contesto di questa acquisizione, a partire dal secondo semestre 2025, il settore globale dei semiconduttori ha mostrato un'esplosione strutturale della domanda: l'evoluzione tecnologica nel campo degli ASIC (Circuiti Integrati Specifici per Applicazione) e l'implementazione su larga scala di scenari di inferenza IA hanno generato una forte domanda rispettivamente per HBM3e (High Bandwidth Memory versione 3e) e DDR5 (memoria a doppia velocità di dati di quinta generazione). La crescita di questi due segmenti di mercato ha portato direttamente a un significativo miglioramento della redditività complessiva del settore DRAM, diventando anche il motore principale della strategia di espansione accelerata della capacità di Micron. L'impianto di Tongluo acquisito da Micron include il terreno completo, gli edifici principali e strutture di camere bianche ad alto standard, eliminando la necessità di avviare progetti infrastrutturali da zero e riducendo sostanzialmente il ciclo di aumento della capacità. Secondo i piani, Micron sposterà gradualmente tra il 2026 e il 2027 apparecchiature di produzione mature esistenti e di nuova acquisizione in queste strutture, concentrandosi sulla distribuzione di attrezzature chiave per i processi front-end avanzati dei DRAM. Si prevede che la fase di produzione di massa inizi ufficialmente nel 2027. Secondo le stime di TrendForce, la capacità rilasciata dal progetto di Fase 1 dell'impianto di Tongluo nel secondo semestre 2027 supererà il 10% della capacità totale globale di DRAM di Micron nel quarto trimestre 2026, diventando un incremento cruciale per colmare il divario di domanda di memoria ad alte prestazioni.

Dal punto di vista della strategia globale di distribuzione della capacità di Micron, questa acquisizione non è un'azione isolata, ma una parte importante della sua espansione accelerata. I dati mostrano che nel terzo trimestre 2025, la quota di ricavi di Micron nel settore DRAM globale ha raggiunto il 25,7%, classificandosi al terzo posto nel settore, seppure con un certo distacco dai leader. Da quando il boom del settore IA è esploso nel 2024, la domanda del mercato di prodotti DRAM a processo avanzato come HBM, DDR5 e LPDDR5X è continuamente aumentata notevolmente. Per cogliere le opportunità di mercato, Micron ha adottato un modello di espansione della capacità a doppio binario: "costruzione propria + acquisizione". Da un lato, continua a promuovere progetti di costruzione dello stabilimento ID1 negli Stati Uniti e della capacità di packaging back-end HBM a Singapore; dall'altro, abbrevia attivamente le tempistiche di implementazione della capacità attraverso l'acquisizione di strutture mature, avendo precedentemente acquisito due stabilimenti AUO a Tainan, lo stabilimento AUO Crystal a Taichung e lo stabilimento Glorytek a Taichung, per integrare la capacità in fasi chiave come il test dei wafer (Wafer Probe), la metallizzazione e la tecnologia TSV per HBM. Inoltre, Micron prevede di convertire tecnologicamente parte delle camere bianche NAND Flash a Singapore in linee di metallizzazione DRAM, ottimizzando ulteriormente la struttura della capacità.

Per PSMC, questa cooperazione ha anche un significato strategico di trasformazione. Attualmente, la capacità DRAM esistente di PSMC utilizza principalmente tecnologie di processo relativamente mature come 25 nm e 38 nm. Limitata da colli di bottiglia tecnologici, la sua linea di produzione di memoria DDR4 può concentrarsi solo su prodotti a bassa capacità, limitando gradualmente la sua competitività nel mercato dei DRAM consumer. Dopo aver firmato la lettera di intenti con Micron, PSMC riceverà un potenziamento tecnologico chiave: si prevede che otterrà formalmente la licenza per il processo 1Y nm di Micron entro il prossimo anno e, a seconda dei progressi della cooperazione, potrebbe ulteriormente ottenere la licenza per il processo avanzato 1Z nm. Con questo avanzamento tecnologico, PSMC potrà aumentare significativamente la capacità di archiviazione dei suoi prodotti DDR4, consolidando non solo la sua competitività di processo nel mercato dei Consumer DRAM, ma anche espandendo efficacemente la sua scala di produzione in bit. Inoltre, poiché il posizionamento dei suoi prodotti si differenzia dalla linea di prodotti avanzati di Micron, non si genererà una concorrenza di mercato diretta, realizzando una complementarità dei vantaggi di entrambe le parti.

TrendForce sottolinea che la cooperazione tra Micron e PSMC è essenzialmente un microcosmo della tendenza "ottimizzazione della capacità + complementarità tecnologica" nel settore globale della memoria. Con la continua penetrazione di applicazioni a valle come IA e cloud computing, la differenziazione strutturale della domanda nel mercato DRAM diventerà sempre più evidente e lo spazio di mercato per i prodotti a processo avanzato e maturo si espanderà simultaneamente. Dopo il completamento di questa acquisizione, la capacità di DRAM ad alte prestazioni di Micron sarà rapidamente integrata, mentre PSMC realizzerà un aggiornamento industriale attraverso licenze tecnologiche. Gli effetti sinergici di entrambe le parti dovrebbero rimodellare ulteriormente la struttura dell'offerta del settore DRAM globale e il rilascio della capacità dell'impianto di Tongluo nel 2027 fornirà anche un importante supporto per alleviare lo squilibrio globale tra domanda e offerta di memoria ad alte prestazioni.